背景:熱退火是用於結晶硒化銻(Sb2Se3)薄膜的最常見後沉積技術。然而,由於處理速度慢且能源成本高,它與未來光伏電池中Sb2Se3的升級和商業化不相容。在此,首次采用一種使用毫秒···
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背景:本研究開發了一種用於高性能全印刷無機薄膜晶體管(TFT)的印刷多層銦镓鋅氧化物(IGZO)和銀(Ag)電極結構的強脈衝光(IPL)退火工藝。通過使用IGZO前體和銀墨水的溶液···
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背景:我們介紹了光子燒結作為一種通用且經濟高效的界麵處理方法,用於溶液處理的In-Ga-Zn-O薄膜晶體管,重點研究其提高操作穩定性的潛力。我們製造了溶液處理的基於IGZO的薄膜晶···
閱讀量:7032024
背景:新xin興xing的de柔rou性xing光guang電dian器qi件jian需xu要yao多duo材cai料liao處chu理li能neng力li,以yi充chong分fen利li用yong對dui溫wen度du敏min感gan的de基ji板ban和he材cai料liao。本ben報bao告gao展zhan示shi了le光guang子zi燒shao結jie如ru何he實shi現xian具ju有you非fei常chang不bu同tong特te性xing的de材cai料liao的de加jia工gong。例li如ru,電dian荷he載zai流liu子zi傳chuan輸shu/阻擋金屬氧化物和透明導···
閱讀量:6372024
背景:In2O3是最重要的半導體金屬氧化物之一,主要是因為它具有寬帶隙、高電子遷移率和加工通用性。為此,可以使用可擴展且廉價的基於溶液的沉積方法來製備高質量的In2O3薄膜,從而使···
閱讀量:11962023
背景:金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)為wei新xin興xing的de透tou明ming和he柔rou性xing微wei電dian子zi應ying用yong提ti供gong了le絕jue佳jia的de機ji會hui。不bu幸xing的de是shi,它ta們men的de性xing能neng受shou到dao與yu寄ji生sheng效xiao應ying相xiang關guan的de限xian製zhi的de阻zu礙ai,例li如ru寄ji生sheng電dian極ji重zhong疊die電dian容rong和he高gao接jie觸chu電dian阻zu,這zhe會hui嚴yan重zhong限xian製zhi···
閱讀量:7732024
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